SK海力士宣布其第五代10納米工藝1bnm已經(jīng)完成驗證，將為下一代DDR5和HBM3E解決方案提供支持。SK海力士 1bnm工藝將為DDR5提供6.4 Gbps的速度，為HBM3E提供8 Gbps的速度。
SK海力士還確認(rèn)，下一代1bnm節(jié)點(diǎn)將被用于生產(chǎn)DDR5和HBM3E（高帶寬內(nèi)存）解決方案。該企業(yè)表示，Xeon Scalable平臺獲得了英特爾認(rèn)證，支持在1bnm節(jié)點(diǎn)上構(gòu)建的DDR5產(chǎn)品。1bnm DDR5內(nèi)存的成功評估發(fā)生在1anm（第四代10nm節(jié)點(diǎn)）實現(xiàn)準(zhǔn)備就緒并同時完成英特爾認(rèn)證的時候。
SK海力士預(yù)計，在成功驗證了1anm服務(wù)器DDR5產(chǎn)品與第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器的兼容性之后，與英特爾合作的1bnm DDR5產(chǎn)品的驗證過程將順利進(jìn)行。
在人們對內(nèi)存市場將從下半年開始復(fù)蘇的期望越來越高的情況下，我們相信我們業(yè)界領(lǐng)先的DRAM技術(shù)，通過這次1bnm工藝的大規(guī)模生產(chǎn)再次得到證明，將幫助我們從下半年開始提高收益。
開發(fā)初期試運(yùn)行的DDR5產(chǎn)品運(yùn)行速度為4.8Gbps，而JEDEC標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的DDR5的最高速度為8.8Gbps。
提供給英特爾的DDR5產(chǎn)品的運(yùn)行速度為6.4Gbps（目前為業(yè)界最高），比DDR5開發(fā)初期的測試產(chǎn)品的數(shù)據(jù)處理速度提高了33%。此外，1bnm DDR5內(nèi)存的功耗將比1anm節(jié)點(diǎn)低20%，這是因為采用了高K金屬柵極工藝，引入了高介電常數(shù)材料，可以防止泄漏電流并提高電容。
HBM3E（HBM3擴(kuò)展）： HBM3E是第五代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品，繼承了前幾代HBM、HBM2、HBM2E和HBM3。SK海力士計劃在下半年準(zhǔn)備好HBM3E產(chǎn)品的樣品，以8Gbps的數(shù)據(jù)處理速度運(yùn)行，并在2024年開始大規(guī)模生產(chǎn)。
該企業(yè)還表示，該公司將在2024年下半年前采用1bnm工藝生產(chǎn)基于LPDDR5T和HBM3E的產(chǎn)品。SK海力士計劃準(zhǔn)備以8Gbps數(shù)據(jù)處理速度運(yùn)行的HBM3E產(chǎn)品的樣品，并在2024年開始大規(guī)模生產(chǎn)。